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admin 2个月前 ( 09-02 11:36 ) 0条评论
摘要: 半导体行业再动荡:台积电被控16项专利侵权,iPhone或面临被禁风险...

半导体代工厂格芯GlobalFoundries,GF)8 月 26 日在美国和德国提出多申述讼,指控台积电(TSMC)运用的半导体技能侵犯了 16 项 GF 的专利,并希望美国交易主管部门发布进口禁令,以中止台积电“侵权”出产的产品进口,并寻求取得“实质性”损害补偿。台积电否定侵权,并称将活跃应诉。

虽然案子首要的被告方是台积电,但一些与台积电有关的厂商都被列入了被告名单,GF 要求法院阻挠这些厂商将侵权产品进口到美国和德国,包括 6 家芯片规划厂商苹果、博通、联发科、英伟达、高通和赛灵思;10 家消费产品制作商 Arista、华硕、BLU、思科、谷歌、海信、联想、摩托罗拉、TCL、一加;以及 3 家电子元件分销商 Avnet / EBV、Digi-key 和 Mouser。

这场规模广泛的法令进犯有或许中止从智能手机到个人电脑,再到作为互联网骨干的交换机和路由器等重要基础设施的供给。这凸显了台积电作为坚持现代电子产品运转的元件制作商的重要性。

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图 | GlobalFoundries 申述台积电资料清单截图(来历:globalfoundri余罪,面朝大海春暖花开全文,航空母舰-第十视角,围观中美交易新动向es.com)

台积电“抢单”

GlobalFoundries 是国际公认第二大专业晶元代工厂,仅次于台积电。

GF 明显是要把作业搞大,除了列出一长串被告名单,在其提交的诉讼清单中,台积电被指控的侵权技能涵盖了 7nm、10nm、12nm、16nm、28nm 等多个制程

“多年来咱们投入数十亿美元用于技能研制,而台积电一向在不合法从咱们的出资中获益。因而,发申述讼关于阻挠台积电不合法运用咱们的重要财物、维护美国和欧洲的制作业基地至关重要,”GF 全球工程技能高档副总裁 Gregg Bartlett 表明。

依据他的表述,虽然半导体制作业连续在向亚洲搬运,可是 GF 还在大力出资美国和欧洲半导体工业,在曩昔十年里,GF 在美国出资 150 亿美元,给欧洲最大的半导体制作工厂出资超越 60 亿美元。

图 | 台积电厂区(来历:Industry Herald)

台积舞姬恋风传电发言人孙又文 (Elizabeth Sun) 回应称“台积电一向尊重知识产权,咱们一切的技能均由自己开发。”关于 GF 的指控,现在已进入司法程序,台积电会活跃提出有力的依据保卫自己的权益。

据 SEMI 估计,全球将于 2017 年~ 2020 年间投产 62 座半导体晶圆厂,其间 26 座设于我国余罪,面朝大海春暖花开全文,航空母舰-第十视角,围观中美交易新动向大陆,占全球总数的 42 %。还有数据显现,台积电本年第一季度的合约芯片制作商商场份额为48.1%,avaaddams三星为19.1%,GF 为8.4%。

与台积电的主营事务不同,GF 并没有特别进入消费类电子产品的范畴。上一年,GF 退出了 7nm 工艺代工,一起,他们将战略转向了更具针对性的使用,比方射频(RF)和物联网芯片。这意味着它把小型处理器商场拱手相让给亚洲的竞赛对手台积电和三星。三星的 7nm 工艺虽然有 EUV 工艺加持,可是量产开展落后于台积电,所以台积电简直抢走了绝大多数 7nm 订单。

被放过的 AMD

值得注意的是,GF 并没有把从前的“女友” AMD 列入侵权的方针公司名单中,虽然 AMD 现在依赖于台积电出产的最新 7nm 处理器硬件。

图 | AMD 公司相片(来历:CoinDesk)

“AMD 的女朋友”是网友送给 GF 的一个搞笑称号。2009 年 AMD 将自家的半导体制作事务拆分出来,与阿联酋的穆巴达拉出资基金子公司 ATIC 成立了 张延张锦程GF 公司,专司代工事务。随后 AMD 老樊的烦恼清空了所持股份,GF 成为 ATIC 的全资子公司,帮 AMD 代工处理器及显卡芯片。

AMD 分拆 GF 的意图,是树立一个能够与台积电和英特尔竞赛前沿技能的代工协作伙伴。GF 将获益于与 AMD 无关的新出资和收入来历,并将从其工厂的其他客户中获益。

但在分拆 9 年之后,AMD 的开端想象彻底没有完结,由于在一些技能上的开展缓慢,让 AMD 别无挑选,只能将新的 CPU 和 GPU 产品的生里弗斯驾驭战役形式产转交给台积电。

2018 年上半年,连续有音讯称,AMD 未来会将其 7nm GPU 出产搬运到台积电,这很或许是 GF 在 7nm 层面的技能开展遇到费事的一个痕迹。GF 的 CEO Thomas Caulfield 在 2傲气雄风018 年 2 月表明,他们正在对 22 FDX 和 12 FDX 进行严重出资,他们方案成为这些范畴的商场领导者。

22 FDX 工艺是 GF 在 2015 年 7 月正式宣告的,其最大特点是全球第一家完结了 22nm FD-SOI/全耗尽绝缘硅,并仍选用平面型晶体管,复杂度和本钱都大大低于 16/14nm。依据 GF 的说法,22FDX 工艺的最大特点是静态和动态功耗极低,十分合适移动、可穿戴、IoT物联网、FR射频等范畴。

但在 7nm 技能范畴,GF 给自己的定位是“快速跟随者”。

2018 年 8 月 27 日,AMD 正式宣告将把其在 CPU 和 GPU 上的一切 7nm 产品的出产交给台积电。台积电是 AMD 7nm Vega GPU 的首选代工工厂,AMD 公司随后又宣告,其 7nm Epyc CPU(代号为 余罪,面朝大海春暖花开全文,航空母舰-第十视角,围观中美交易新动向Rome)也将交给台积电出产。

AMD 公司的 CTO 兼高档副总裁 Mark Papermaster余罪,面朝大海春暖花开全文,航空母舰-第十视角,围观中美交易新动向 在其博客中表明:“AMD 的下一个重要的路程牌便是行将推出的 7nm 产品,他们与台积电在 7nm 产品的协作开展十分好。为了简化咱们的开发,并使咱们的中华大排档出资和每一个代工工厂的出资更严密地结合,所以决议将咱们 7nm 的产品组合广度会集在台积电 7nm 的抢先工艺上。与此一起,咱们还将持续与 GlobalFoundries 树立广泛的协作关系,会触及多个流程节点与技能。咱们将使用GlobalFoundries 纽约工厂在 14nm 和 12nm 技能上的额定出资,来支撑咱们的 AMD Ryzen、AMD Radeon和 AMD EPYC 处理器的长时间开展。咱们不希望咱们的产品路线图由于代工厂的改动而发作任何改动。”

另辟战场

由于没有才能在技丝足伊术层面与台积电和三星等硅范畴的巨子竞赛,GF 好像已做好决议,即使用其专利在法令战场上制胜。

图 | GlobalFoundries 出产车间(来历:electronicdesign)

关于余罪,面朝大海春暖花开全文,航空母舰-第十视角,围观中美交易新动向 GF 来说,跟上三星和台积电的脚步过分贵重。

据悉,台积电上一年建成的竹科新研制中心总出资高达上千亿元,再加上本年 1 月下旬动土的南科新建晶圆 8 寸厂、竹科总部 5nm 厂,以及后续 3nm 投入的研制资金,台积电未来在高端制程范畴将投入近万亿元人民币。

GF 现在担任出产 AMD 的 Ryzen 和 Radeonchips。此外,它并没有开展 5nm 和 3nm 技能的方案。GF 表明,它底子负担不起花费数十亿美元开发新的产品线去追逐竞赛对手三星和台积电。相反,它将坚持现在的 14/12 nm 工艺,并环绕该技能扩展其产品供给。

GF 在 2018 年曾表明,在 2019 年将选用最前沿的 EUV(极点紫外余罪,面朝大海春暖花开全文,航空母舰-第十视角,围观中美交易新动向线)芯片。但是,从其现有的 14/12 nm 光刻技能开展到 7nm LP 光刻技能仍然是一个巨大的腾跃,据报道该公司假如制作这样一条出产线,将花费至少 100 亿美元。GF 的出资者,阿拉伯联合酋长国的 Mubadala,明显不愿意把这笔钱花在一家从未盈余的公司上。

像其他芯片代工制作商相同,GF 一向难以赶上台积电。GF 深知台积电已经成为该行业主导的半导体制作商,由于这家公司十分斗胆地把新制作技能商业化,乃至包括很顶级的紫外线光刻技能。台积电轻易地把制程工艺从 10nm 推进到 7nm,并估计下一年开端出产 5nm 芯片。制程工艺的每一次提高都需要在研制和新设备上投入很多资金,或许 GF 能够经过这场诉讼提出的补偿要求来补偿一部分被台积电影响的收入丢失。

诉讼书显现,台积电一共有 16 项专利触及侵权,其间 13 项在美国,别的 3 项在德国。GF 挑选了能赶快同意禁货令的法院。德国法院作业敏捷,由于他们在诉讼完结之前就命令中止相关产品进口。维护美国商场免受不公平交易行为影响的美国国际交易委员会的案子处理速度也极为敏捷,查询通常在 15 至 18 个月内完结,它有才能阻挠产品进入美国。

GF 点名台积电一些下流消费电子公司的意图,很有或许是希望能加速和台积电达到财政宽和。

现在,苹果、英伟达和高通等依赖于台积电供货的公司所面对的实践危险尚不清楚。

别的,GF 还称,禁令不会损伤顾客,由于三星和 GF 树立了芯片制作技能协作伙伴关系,三星电子是被答应方,包括索尼、LG 电子和 Vizio 等其他公司不在诉讼规模内。他们在文件中表明,这意味着智能手机和其他消费电子产品将有足够的供给。

-End-

附:诉讼专利清单

1. US 8,823,178:Bit Cell With Double Patterned Metal Layer Structures(具有双图画金属层结构的位单元)

2. US 8,581,348:Semiconductor device with transistor local interconnects(晶体管部分互连的半导体器材)

3. US 9,355,910:Semiconductor device with transistor local interconnects(晶体管部分互连的半导体器材)

4. US 7,425,497:Introduction of metal impurity to change workfunction of conductive electrodes(引进金属杂质以改动导电电极的作业功能)

5. US 8,598,633:Semiconductor device having contact layer providing electrical connections(具有提供电衔接触摸层的半导体器材)

6. US 6,518,167:Method of for马艳丽老公ming a metal or metal nitride interface layer between silicon nitride and copper(在氮化硅和铜之间构成金属或金属氮化物界面层的办法)

7. US 8,039,966:Structures of and methods and tools for forming in-situ metallic/dielectric caps for interconnects(用于构成互连的原位金属/电介质帽的结构和办法及东西)

8. US 7,750,418:Introduction of metal impurity to change w闲适158连锁酒店orkfunction of conductive electrodes(引进金属杂质以改动导电电极的作业功能)

9. US 8,936,986:Methods of forming fi柴格女朋友nfet devices with a shared gate structure(用同享栅极结构构成场效应晶体管器材的办法)

10. US 8,912,603:Semiconductor device with stressed fin sections(具有应力片的半导体器材)

11. US 7,378,357:Multiple dielectric FinFET structure and method(多介质场效应晶体管的结构和办法)

12. US 9,105,643:Bit cell with double patterned metal layer strusama542ctures(具有双图画金属层结构的位单元)

13. US 9,082,877:Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) d余罪,面朝大海春暖花开全文,航空母舰-第十视角,围观中美交易新动向evice having gate structures connected by a metal gate conductor(具有经过金属栅极导体衔接的栅极结构的互补金属氧化物半导体器材)

14. DE 102011002769:Hybrid contact structure with low aspect ratio 会计科目背诵顺口溜contacts in a梅尔塔怎样打 semiconductor device(半导体器材中具有低展弦比触点的混合触点结构)

15. DE 102011004320:Complementary transistors comprising high-k metal gate electrode structures and epitaxially formed s香醇雁emiconductor materials in the drain and source areas(在漏极和源极区域中包括高k金属栅电极结构和外延构成的半导体资料的互补晶体管)

16. DE 102012219375:Semiconductor device with transistor local interconnects(晶体管部分互连的半导体器材)

https://www.theverge.com/platform/amp/circuitbreaker/2019/8/26/20833475/globalfoundries-tsmc-lawsuit-pgay104atents-semiconductor-production-apple-nvidia-google

https://venturebeat.com/2019/08/26/globalfoundries-sues-apple-nvidia-qualcomm-and-tsmc-over-chip-patents/

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